AO4822A和FDS6990A

对比图

型号 AO4822A FDS6990A IRF7313TRPBF

描述 30V,8.5A,双N沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 VMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 7.50 A 6.50 A

额定功率 1.3 W 2 W -

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.011 Ω 0.046 Ω

极性 N-CH N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W 2 W

阈值电压 - 1.9 V 1 V

输入电容 - 1.23 nF 650pF @25V

栅电荷 - 12.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8A 7.50 A 6.50 A

上升时间 3.5 ns 5 ns 8.90 ns

输入电容(Ciss) 888pF @15V(Vds) 1235pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 900 mW 2 W

下降时间 3.5 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 1.6 W -

产品系列 - - IRF7313

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.57 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -