BFR30和BFR30,215

对比图

型号 BFR30 BFR30,215 BFR30TRL13

描述 BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管JFET晶体管

封装 1020 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 1020 SOT-23-3 -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

耗散功率 - 250 mW -

漏源极电压(Vds) - 25 V -

输入电容(Ciss) - 4pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -