BSP220和BSP92

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP220 BSP92 BSP220,115

描述 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorSIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)NXP  BSP220,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) Siemens Semiconductor (西门子) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 - SOT-223 TO-261-4

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 10 Ω

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 1.5 W

漏源极电压(Vds) - - 200 V

连续漏极电流(Ids) - - -225 mA

输入电容(Ciss) - - 90pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.5 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1.5W (Ta)

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.7 mm

封装 - SOT-223 TO-261-4

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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