对比图
描述 Direct-FET N-CH 100V 4.2ADirect-FET N-CH 100V 4.2A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
封装 DirectFET-SH Direct-FET
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
漏源极电阻 62 mΩ 53.0 mΩ
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.2 W 2.2W (Ta), 42W (Tc)
产品系列 - IRF6665
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.2A 3.40 A
上升时间 2.8 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
下降时间 4.3 ns 4.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
通道数 1 -
封装 DirectFET-SH Direct-FET
长度 4.85 mm -
宽度 3.95 mm -
高度 0.7 mm -
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)