JAN2N3791和JANTXV2N3791

对比图

型号 JAN2N3791 JANTXV2N3791 2N3789

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

引脚数 3 3 -

耗散功率 - - 150 W

最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V 25

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

额定功率(Max) 5 W 5 W -

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW -

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Sleeve

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -