BC848BWT1G和BC848C-7-F

对比图

型号 BC848BWT1G BC848C-7-F BC848BWT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848BWT1G  晶体管 双极-射频, NPN, 30 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFEDIODES INC.  BC848C-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SC-70-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 150 mW

频率 100 MHz 300 MHz -

针脚数 3 3 -

耗散功率 150 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) 200 600 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW 350 mW -

增益频宽积 - 300 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 @2mA, 5V -

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SC-70-3

长度 2.2 mm 3.05 mm -

宽度 1.35 mm 1.4 mm -

高度 0.9 mm 0.98 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -