对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJE210G 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 65 MHz, 15 W, -5 A, 10 hFE 新Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。互补硅功率晶体管塑料 Complementary Silicon Power Plastic Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
频率 65 MHz 65 MHz -
额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -25.0 V
额定电流 -5.00 A -5.00 A -5.00 A
极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel
耗散功率 15 W 15 W -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 25 V 40 V
集电极最大允许电流 5A 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V
最大电流放大倍数(hFE) - 180 -
额定功率(Max) 15 W 15 W 15 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 15000 mW 15000 mW 15000 mW
针脚数 3 - -
增益频宽积 65 MHz - -
热阻 8.34℃/W (RθJC) - -
直流电流增益(hFE) 65 - -
长度 7.8 mm 8 mm -
宽度 2.66 mm 3.25 mm -
高度 11.04 mm 11 mm -
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99