对比图
型号 GP30B IRGP30B60KD-EP
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, LEAD FREE PACKAGE-3Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-247-3
额定功率 - 304 W
耗散功率 - 304 W
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V
反向恢复时间 - 125 ns
额定功率(Max) - 304 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 304 W
长度 - 15.87 mm
宽度 - 5.31 mm
高度 - 20.7 mm
封装 - TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99