BSS138和CPH3313

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138 CPH3313 BSS138LT1G

描述 BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿CPH3313 P沟道MOS场效应管 -20V -1.6A 0.180ohm SOT-23 marking/标记 JN 超高速开关 2.5V驱动ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.7 Ω - 3.5 Ω

耗散功率 360 mW - 225 mW

阈值电压 1.3 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 50 V - 50 V

上升时间 9 ns - -

输入电容(Ciss) 27pF @25V(Vds) - 50pF @25V(Vds)

下降时间 7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW - 225 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 200 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 40pF @25V

漏源击穿电压 - - 50 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 200 mA

额定功率(Max) - - 225 mW

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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