B-8-0和IPB065N06LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 B-8-0 IPB065N06LG STB80NF55-06

描述 80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorN沟道55V - 0.005 ? - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005? - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET? II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

极性 - - N-CH

漏源极电压(Vds) - 60.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80A

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

输入电容 - 5.10 nF -

栅电荷 - 157 nC -

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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