对比图
型号 IPD60R600E6 IPD60R600E6ATMA1
描述 Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.54 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 63W (Tc) 63 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A
上升时间 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)
额定功率(Max) 63 W -
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99