IRL540NSTRLPBF和STB40NF10LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL540NSTRLPBF STB40NF10LT4 IRL540NSPBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ω; ID 36A; D2Pak; PD 140W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRL540NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 36A, D2-PAK 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 36.0 A 40.0 A 36.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.063 Ω 0.028 Ω 44 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 150 W 3.8 W

阈值电压 - 1.7 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 40.0 A 36.0 A

上升时间 81.0 ns 82 ns 81.0 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 150 W 3.8 W

下降时间 - 24 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

产品系列 IRL540NS - IRL540NS

通道数 1 - -

输入电容 1800pF @25V - -

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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