APT10050B2VFRG和APT10050B2VRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10050B2VFRG APT10050B2VRG APT10050B2VFR

描述 T-MAX N-CH 1000V 21AT-MAX N-CH 1000V 21AT-MAX N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 21.0 A 21.0 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

输入电容 7.90 nF 7.90 nF -

栅电荷 500 nC 500 nC -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A 21A

上升时间 13 ns 13 ns -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) -

下降时间 8 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520000 mW 520000 mW -

耗散功率 520 W - -

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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