FDS6688AS和NTMS4920NR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6688AS NTMS4920NR2G FDR4420A

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SMD-8

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0036 Ω 9.00 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 1.46 W 1.8W (Ta)

阈值电压 - 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.5A 17A 11.0 A

上升时间 - 4.7 ns 15.0 ns

输入电容(Ciss) 2510pF @15V(Vds) 4068pF @25V(Vds) 2560pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 820 mW -

下降时间 - 42.2 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 820mW (Ta) 1.8W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 11.0 A

输入电容 - - 2.56 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

漏源击穿电压 - - -100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SMD-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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