KSP2222ATF和P2N2222ARL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP2222ATF P2N2222ARL1G MMBT2222AWT1G

描述 ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 SC-70-3

频率 300 MHz - 300 MHz

耗散功率 0.625 W - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 35 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 150 mW

额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V

额定电流 - 600 mA 28.0 A

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

直流电流增益(hFE) - - 300

长度 4.58 mm - 2.2 mm

宽度 3.86 mm - 1.35 mm

高度 5.33 mm - 1 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 SC-70-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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