P2N2222ARL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

P2N2222ARL1G概述

放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

P2N2222ARL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买P2N2222ARL1G

型号： P2N2222ARL1G

描述：放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon

替代型号P2N2222ARL1G