对比图
型号 FDU8876_NL ISL9N308AD3 FDU8876
描述 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз15A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-251 TO-220-3 TO-251
漏源极电阻 - 8.00 mΩ -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 - 100 W -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 15A 50.0 A -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 16.3 mm -
封装 TO-251 TO-220-3 TO-251
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -