对比图
描述 STMICROELECTRONICS BD438. 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFEPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS BD434 单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFE
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
频率 3 MHz 3 MHz -
额定电压(DC) - -45.0 V -
额定电流 - -4.00 A -
额定功率 36 W 36 W -
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel PNP PNP
耗散功率 36 W 36 W 36 W
增益频宽积 - 3 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 22 V
集电极最大允许电流 - 4A -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V
额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 36 W 36 W 36000 mW
针脚数 3 - 3
最大电流放大倍数(hFE) 130 - -
直流电流增益(hFE) 130 - 140
长度 7.8 mm 8 mm -
宽度 2.7 mm 3.25 mm -
高度 10.8 mm 11 mm -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -