BC546ABU和ZTX618

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC546ABU ZTX618 BC546ATA

描述 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。DIODES INC.  ZTX618  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 1 W, 3.5 A, 450 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC546ATA  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 65.0 V 20.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 3.50 A 100 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 500 mW 1 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 20 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 3.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 300 @200mA, 2V 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 800 200 @10mA, 2V 800

额定功率(Max) 500 mW 1 W 500 mW

直流电流增益(hFE) 110 450 110

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 1000 mW 0.5 W

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

长度 4.58 mm 4.77 mm 4.58 mm

宽度 3.86 mm 2.41 mm 3.86 mm

高度 4.58 mm 4.01 mm 4.58 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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