对比图
型号 STP120NF10 PSMN016-100PS,127 IRFB4710PBF
描述 STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 100V 57AN沟道,100V,75A,14mΩ@10V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 312 W 148 W 200 W
阈值电压 4 V 4.8 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 110 A 57A 75.0 A
上升时间 90 ns 23 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 2404pF @50V(Vds) 6160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 312 W 148 W 3.8 W
下降时间 68 ns 18 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 312000 mW 148W (Tc) -
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 120 A - 75.0 A
漏源极电阻 0.009 Ω - 0.014 mΩ
产品系列 - - IRFB4710
漏源击穿电压 100 V - 100 V
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.15 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -