对比图
型号 FQS4903 FQS4903TF
描述 Power Field-Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQS4903TF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 370 mA, 500 V, 6.2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 8
封装 - SOIC-8
额定电压(DC) - 500 V
额定电流 - 370 mA
通道数 - 2
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 6.2 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 2 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) - 500 V
漏源击穿电压 - 500 V
栅源击穿电压 - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) - 370 mA
上升时间 - 20 ns
输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W
下降时间 - 45 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W
宽度 - 3.9 mm
封装 - SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99