对比图
型号 IRG4BC30W-STRLP SGW23N60UFDTM
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 100 W -
耗散功率 100000 mW 100000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 100 W 100 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 12.0 A
反向恢复时间 - 60 ns
长度 10.67 mm -
宽度 9.65 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99