CY7C1370D-200BZI和CY7C1370KV33-167BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370D-200BZI CY7C1370KV33-167BZXC

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 36 36

存取时间 3 ns 3.4 ns

存取时间(Max) 3 ns 3.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3.135 V -

高度 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.2.b

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台