IHW30N120R和IHW30N120R2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IHW30N120R IHW30N120R2 STGWS38IH130D

描述 与IGBT单片体二极管的软开关应用 IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode33 A - 1300 V - 非常快速的IGBT 33 A - 1300 V - very fast IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - 390 W 180000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 1300 V

额定功率(Max) - 390 W 180 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 390 W 180000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.9 mm 15.9 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 20.95 mm 20.95 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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