对比图
型号 APT26F120B2 IXFX26N120P APT26F120L
描述 N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335nsPLUS N-CH 1200V 26AN沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 1.20 kV - 1.20 kV
额定电流 26.0 A - 26.0 A
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 1135W (Tc) 960000 mW 1.135 kW
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26A 26.0 A
输入电容(Ciss) 9670pF @25V(Vds) 16000pF @25V(Vds) 9670pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1135W (Tc) 960W (Tc) 1135W (Tc)
通道数 - 1 -
阈值电压 - 6.5 V 4 V
上升时间 - 55 ns 31 ns
下降时间 - 58 ns 48 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
漏源极电阻 - - 480 mΩ
漏源击穿电压 - - 1200 V
额定功率(Max) - - 1135 W
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
宽度 - 5.21 mm 20.5 mm
长度 - - 26.49 mm
高度 - - 5.21 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -