IRF640NSTRLPBF和IRF640SPBF

对比图

型号 IRF640NSTRLPBF IRF640SPBF STB19NF20

描述 N沟道,220V,18A,150mΩ@10V功率MOSFET Power MOSFETSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

耗散功率 150 W 130 W 90 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 19.0 ns 51 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 130 W 90 W

下降时间 - 36 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 130 W 90W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 18.0 A - -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.18 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

产品系列 IRF640NS - -

输入电容 1160pF @25V - -

漏源击穿电压 200 V - -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A -

热阻 1℃/W (RθJC) - -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.75 mm

宽度 - 9.65 mm 10.4 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99