CY14B108N-ZSP45XI和CY14B108N-ZSP45XIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B108N-ZSP45XI CY14B108N-ZSP45XIT CY14B108M-ZSP45XI

描述 非易失 RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3 V - -

供电电流 57 mA - 57 mA

针脚数 54 - -

时钟频率 1 MHz - -

存取时间 45 ns - 45 ns

耗散功率(Max) 1 W - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

长度 22.52 mm - -

宽度 10.262 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 PB free

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a

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