对比图
型号 MTD3055E RFD14N05SM9A IRF3710PBF
描述 TMOS power FET. 60V, 8A, Rds(on) 0.15Ω.FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-220-3
额定功率 - - 200 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 100 mΩ 0.023 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 48 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - - 3130 pF
漏源极电压(Vds) - 50 V 100 V
漏源击穿电压 - 50.0 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 14.0 mA 57A
上升时间 - 26 ns 58 ns
输入电容(Ciss) - 570pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 48 W 200 W
下降时间 - 17 ns 47 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 48 W 200W (Tc)
额定电压(DC) - 50.0 V -
额定电流 - 14.0 A -
长度 - 6.73 mm 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 4.69 mm
高度 - 2.39 mm 8.77 mm
封装 - TO-252-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -