对比图
型号 BSC0909NS FDS7066N7 BSC080N03LSGATMA1
描述 30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 PG-TDSON-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 7.7 mΩ 3.50 mΩ 0.0067 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3 W 35 W
漏源极电压(Vds) 34 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 34 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A 23.0 A 14A
上升时间 4.4 ns 8 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 1110pF @15V(Vds) 4973pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 27 W 1.7 W -
下降时间 5.4 ns 25 ns 2.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 23.0 A -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
额定功率 - - 35 W
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 2.2 V
长度 5.9 mm 4.9 mm 5.9 mm
宽度 5.15 mm 3.9 mm 5.15 mm
高度 1.27 mm 1.75 mm 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -