IRFR5505PBF和IRFR5505TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5505PBF IRFR5505TRPBF NTD20P06LT4G

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5505PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 18A, D-PAK 新INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5505TRPBF  场效应管, MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -55.0 V -55.0 V -60.0 V

额定电流 -18.0 A -18.0 A -15.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.11 Ω 0.143 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 57 W 57 W 65 W

产品系列 IRFR5505 IRFR5505 -

阈值电压 - 4 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) -18.0 A -18.0 A 15.5 A

上升时间 28.0 ns 28.0 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 57 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 -55.0 V - -

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

下降时间 - - 70 ns

耗散功率(Max) - - 65000 mW

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

高度 - 2.39 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - - 6.22 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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