对比图
型号 2N6057 JANTX2N6059 2N6338G
描述 NTE ELECTRONICS 2N6057 晶体管, NPN, 100V, 12A, TO-204AA-2NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 2 3 2
封装 TO-204 TO-3 TO-204-2
安装方式 - Through Hole Through Hole
针脚数 2 - -
极性 NPN - NPN
耗散功率 150 W 150 W 200 W
直流电流增益(hFE) 750 - 40
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃
频率 - - 40 MHz
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 25.0 A
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
集电极最大允许电流 - - 25A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V 30 @10A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 120
额定功率(Max) - 150 W 200 W
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 150000 mW 200000 mW
封装 TO-204 TO-3 TO-204-2
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
军工级 - - Yes
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99