对比图
型号 FCD5N60TM FCD5N60TM_WS STD5NM60T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCD5N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 650 V, 950 mohm, 10 V, 5 VSuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 4.60 A - 5.00 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.95 Ω - 1 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 54 W 54 W 96 W
阈值电压 5 V - 4 V
输入电容 600 pF - -
栅电荷 16.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.60 A 4.6A 5.00 A
上升时间 40 ns 40 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) 600pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 54 W - 96 W
下降时间 22 ns 22 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 54W (Tc) 54W (Tc) 96W (Tc)
额定功率 - - 96 W
通道数 - - 1
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 2.39 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 6.22 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99