对比图
型号 BCP55-16TA BSP16T1G MJD32C1
描述 Trans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RON SEMICONDUCTOR BSP16T1G 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFE3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 SOT-223 TO-261-4 -
频率 - 15 MHz -
额定电压(DC) - -300 V -
额定电流 - -1.00 A -
针脚数 - 4 -
极性 NPN PNP -
耗散功率 - 1.5 W -
增益频宽积 - 15 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 300 V -
集电极最大允许电流 1A 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -
额定功率(Max) - 1.5 W -
直流电流增益(hFE) - 30 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 1500 mW -
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.57 mm -
封装 SOT-223 TO-261-4 -
材质 - Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 -