2SJ76-E和TP5322N8-G

对比图

型号 2SJ76-E TP5322N8-G 2SJ79-E

描述 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FETSOT-89P-CH 220V 0.26A硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Microchip (微芯) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220 SOT-89 TO-220

额定功率 - 1.6 W -

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 - 1.6W (Ta) -

漏源极电压(Vds) 140 V 220 V -

连续漏极电流(Ids) 0.5A 0.26A -

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) 120pF @10V(Vds) 110pF @25V(Vds) -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -45 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1.6W (Ta) -

封装 TO-220 SOT-89 TO-220

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free