IRFR3806TRPBF和STD70N6F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3806TRPBF STD70N6F3 STD60NF06T4

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 71 W 110 W 110 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 1150pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 71 W 110 W 110 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

通道数 1 - -

极性 N-Channel - N-Channel

产品系列 IRFR3806 - -

连续漏极电流(Ids) 43.0 mA - 60.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.014 Ω

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 108 ns

下降时间 - - 20 ns

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

长度 - - 6.6 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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