对比图
型号 MRFE6VP8600HSR5 MRFE6VP8600HSR6
描述 RF Power Transistor,470 to 860MHz, 600W, Typ Gain in dB is 19.3 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1829射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 -
封装 NI-1230S NI-1230S
频率 860 MHz 860 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free
耗散功率 1052000 mW 1.52 kW
输出功率 125 W 125 W
增益 19.3 dB 19.3 dB
测试电流 1.4 A 1.4 A
输入电容(Ciss) 264pF @50V(Vds) -
工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1052000 mW -
额定电压 130 V 130 V
电源电压 50 V -
封装 NI-1230S NI-1230S
重量 13263.9 mg -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -