对比图
型号 IPB70N10S3-12 IPP114N12N3G IPB70N10SL-16
描述 INFINEON IPB70N10S3-12 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 VOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-220 TO-263-3
引脚数 3 - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 125 W - 250 W
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A - 70A
上升时间 8 ns - 250 ns
输入电容(Ciss) 4355pF @25V(Vds) - 4540pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 250 W
下降时间 8 ns - 95 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0094 Ω - -
阈值电压 3 V - -
耗散功率(Max) 125W (Tc) - -
长度 10 mm - 10 mm
宽度 9.25 mm - 9.25 mm
高度 4.4 mm - 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-220 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -