对比图
型号 PMN48XP SI3469DV-T1-GE3 FDC634P
描述 NXP PMN48XP 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 VVISHAY SI3469DV-T1-GE3. 晶体管, P沟道PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 6 6 6
封装 SOT-457 TSOP TSOT-23-6
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.048 Ω 0.024 Ω 0.08 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 530 mW 1.14 W 1.6 W
漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 4.1A -6.70 A 3.50 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -3.50 A
输入电容 - - 779 pF
栅电荷 - - 7.20 nC
漏源击穿电压 - - -20.0 V
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
上升时间 - - 9 ns
输入电容(Ciss) - - 779pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 800 mW
下降时间 - - 11 ns
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 1.6W (Ta)
封装 SOT-457 TSOP TSOT-23-6
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.7 mm
高度 - - 1 mm
产品生命周期 Unknown - Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99