对比图
型号 IPB100N04S3-03 IRF1104SPBF IPB100N04S303ATMA1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin(2+Tab) D2PAKN沟道 40V 100A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 100 A -
额定功率 - 170 W -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 214 W 2.4 W 214 W
产品系列 - IRF1104S -
漏源极电压(Vds) 40 V 40.0 V 40 V
漏源击穿电压 - 40.0 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 100A
上升时间 16 ns 114 ns 16 ns
通道数 - - 1
输入电容(Ciss) 9600pF @25V(Vds) - 9600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 214 W - 214 W
下降时间 17 ns - 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) - 214W (Tc)
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
长度 10 mm - 10 mm
宽度 9.25 mm - 9.25 mm
高度 4.4 mm - 4.4 mm
产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -