IRFR4105TRPBF和STD20NF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4105TRPBF STD20NF06T4 STD15NF10T4

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 27A; D-Pak (TO-252AA); PD 68WSTMICROELECTRONICS  STD20NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 100 V

额定电流 27.0 A 24.0 A 23.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.045 Ω 0.032 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 60 W 70 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 27.0 A 24.0 A 23.0 A

上升时间 49.0 ns 30 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 60 W 70 W

下降时间 - 8 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 70W (Tc)

产品系列 IRFR4105 - -

输入电容 700pF @25V - -

额定功率 - 60 W -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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