2N7000L-T92-R和L2N7002LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7000L-T92-R L2N7002LT1G 2N7002LT1H

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3N沟道,60V,0.115A,225mWSOT-23 N-CH 60V 0.115A

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 SOT-23

漏源极电阻 - 7.5 Ω -

极性 - N(with ESD) N-CH

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 0.115A 0.115A

电源电压 - 60 V -

耗散功率 - - 0.3 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 - SOT-23-3 SOT-23

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

最小包装 - 3000 -

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 - - EAR99

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