STB200NF04T4和BUK763R1-40B,118

对比图

型号 STB200NF04T4 BUK763R1-40B,118 IRL1404SPBF

描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 40V 75AN沟道 40V 160A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 310000 mW 300 W 3.8 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120 A 75A 160 A

上升时间 320 ns 82 ns 270 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 6808pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 300 W 3.8 W

下降时间 120 ns 90 ns -

耗散功率(Max) 310000 mW 300W (Tc) -

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 120 A - 160 A

产品系列 - - IRL1404S

漏源击穿电压 40.0 V - 40.0 V

漏源极电阻 3.70 mΩ - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free