2N6284G和JAN2N6306

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6284G JAN2N6306 2N6284

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6284G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新JAN 系列 250 V 8 A 通孔 NPN 功率 硅 晶体管 - TO-204AA (TO-3)STMICROELECTRONICS  2N6284  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-204-2 TO-204 TO-3

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 250 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 15 @3A, 5V 750 @10A, 3V

额定功率(Max) 160 W 125 W 160 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 160000 mW 125000 mW 160000 mW

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 160 W - 160 W

直流电流增益(hFE) 100 - 750

输出电压 100 V - -

输出电流 20 A - -

集电极最大允许电流 20A - -

最大电流放大倍数(hFE) 18000 - -

输入电压 5 V - -

封装 TO-204-2 TO-204 TO-3

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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