对比图
型号 BSM50GD120DLC MWI50-12A7 BSM50GD120DN2
描述 Eupec Infineon power moduleTrans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 18Pin E2INFINEON BSM50GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
数据手册 ---
制造商 Eupec IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 - 18 17
封装 - E2 EconoPACK2
额定功率 - - 350 W
针脚数 - - 17
极性 - - N-Channel
耗散功率 350 W 350000 mW 350 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 125 ℃
击穿电压(集电极-发射极) 1.20 kV 1200 V -
输入电容(Cies) - 3.3nF @25V -
额定功率(Max) - 350 W -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
耗散功率(Max) - 350000 mW -
封装 - E2 EconoPACK2
高度 - 17 mm -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Design
包装方式 - - Box
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99