对比图
型号 SPB80P06P SPB80P06P G SUP65P06-20
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorINFINEON SPB80P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 VP-Channel 60V (D-S), 175C MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
漏源极电阻 - 0.021 Ω 20.0 mΩ
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 340W (Tc) 340 W 250 W
漏源击穿电压 - - -60.0 V (min)
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A -65.0 A
上升时间 - 18 ns 40.0 ns
额定电流 -80.0 A -80.0 A -
针脚数 - 3 -
输入电容 5.03 nF 5.03 nF -
栅电荷 173 nC 173 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
输入电容(Ciss) 5033pF @25V(Vds) 5033pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 340 W 340 W -
下降时间 - 30 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 340W (Tc) 340W (Tc) -
通道数 1 - -
阈值电压 4 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
长度 - 10.31 mm -
宽度 9.25 mm 9.45 mm -
高度 - 4.57 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -