IRF7451PBF和IRF7451TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7451PBF IRF7451TRPBF IRF7451

描述 SOIC N-CH 150V 3.6A晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 VSOIC N-CH 150V 3.6A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定功率 2.5 W 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 90 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5W (Ta)

阈值电压 - 5.5 V -

输入电容 - 990 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V -

连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.6A 3.6A

上升时间 4.2 ns 4.2 ns -

输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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