JANS2N2222AL和JANSF2N2222A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N2222AL JANSF2N2222A JANTXV2N2222A

描述 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18BJT( BiPolar Junction Transistor)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-18 TO-18 TO-18

引脚数 - - 3

封装 TO-18 TO-18 TO-18

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 - - 0.5 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

ECCN代码 - - EAR99

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