MMBT6427和MMBT6427-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6427 MMBT6427-7-F MMBT6427LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6427  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFEMMBT6427-7-F 编带ON SEMICONDUCTOR  MMBT6427LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 1.20 A 500 mA 600 mA

额定功率 350 mW - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 14000 @500mA, 5V 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 10000 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电压 - - 40 V

输出电流 - - 500 mA

输入电容 - - 15 pF

热阻 - - 556℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最大电流放大倍数(hFE) - - 100000

输入电压 - - 12 V

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.93 mm - 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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