IRF1310NPBF和STP35NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1310NPBF STP35NF10 IRFZ14PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1310NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS  STP35NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 60.0 V

额定电流 42.0 A 40.0 A 10.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 36 mΩ 0.035 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 115 W 43 W

产品系列 IRF1310N - -

阈值电压 4 V 3 V 2 V

输入电容 1900pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 40.0 A 10.0 A

上升时间 56.0 ns 60 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 115 W 43 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 15 ns 19 ns

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 43 W

长度 10.54 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 15.24 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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