MRFE6VP6300HR3和MRFE6VP6300HR5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HR5 P630

描述 晶体管, 射频FET, 130 V, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-7802 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 5 4 -

封装 NI-780-4 NI-780-4 -

频率 230 MHz 230 MHz -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 4 4 -

耗散功率 1.05 kW 300 W -

漏源极电压(Vds) 130 V 125 V -

输出功率 300 W 300 W -

增益 26.5 dB 26.5 dB -

测试电流 100 mA 100 mA -

输入电容(Ciss) 188pF @50V(Vds) 188pF @50V(Vds) -

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1050000 mW 1050000 mW -

额定电压 130 V 130 V -

电源电压 - 50 V -

封装 NI-780-4 NI-780-4 -

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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